ESD靜電釋放控制針對HBM 100V以下CDM200V以下極敏感器件-2-5天

《針對HBM 100V以下CDM200V以下極敏感器件的ESD靜電控制提升培訓(xùn)》
課程簡介
主講老師：劉長雄
1. 課程背景

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ESD（靜電釋放）在電子企業(yè)是一個影響產(chǎn)品質(zhì)量的重要因素。由于ESD損傷產(chǎn)品的
隱蔽性及隨機性，很多電子企業(yè)對它的危害影響評估不足，從而疏于對它的防范
，造成產(chǎn)品嚴(yán)重破壞，給企業(yè)帶來巨大損失。

? 目前業(yè)界通行的ESD標(biāo)準(zhǔn)是由美國靜電放電協(xié)會ESDA制訂的ANSI/ESD S20.20-
2021標(biāo)準(zhǔn)。但該標(biāo)準(zhǔn)范圍是針對靜電敏感度為HBM100V以上、CDM200V以上、孤立
導(dǎo)體35V以上的電子產(chǎn)品的靜電控制標(biāo)準(zhǔn)要求，更低敏感電壓的電子產(chǎn)品則需要更
嚴(yán)格的技術(shù)限定。

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電子工業(yè)的進步，使得電子產(chǎn)品的精密程度將越來越高，電子產(chǎn)品的靜電敏感電壓
值也是越來越低，而且這種趨勢有增無減，將來會更加嚴(yán)重。有少數(shù)企業(yè)的產(chǎn)品
的靜電敏感度電壓已低于HBM100V，那么，ANSI/ESD S20.20-
2021標(biāo)準(zhǔn)就不完全適用了，需要增加更多的技術(shù)限定。那么，在哪些地方要增加
技術(shù)限定，又如何具體執(zhí)行呢？

? 歡迎參加本公司《針對HBM
100V以下CDM200V以下極敏感器件以下產(chǎn)品的ESD靜電控制提升培訓(xùn)》培訓(xùn)班，我們
將為您提供針對HBM
100V以下CDM200V以下極敏感器件的ESD防靜電系統(tǒng)解決方案！

2. 課程目標(biāo)
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本課程內(nèi)容介紹了ESD靜電基礎(chǔ)理論研究的公式、ESD靜電損傷模型分析，特別關(guān)注
HBM測試模型，針對HBM的靜電防護的具體應(yīng)用方法研究數(shù)據(jù)、靜電防護標(biāo)準(zhǔn)ESD
S20.20 在HBM 100V以下CDM200V以下極敏感器件時處置的幾個要點。
? 本課程按最新版ANSI/ESD S20.20-2021標(biāo)準(zhǔn)，重點對標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容和HBM
100V以下CDM200V以下控制所需內(nèi)容進行詳細列舉展開解讀，并為企業(yè)提供詳細的
落地改善方案。
? 我們的原則是：全面系統(tǒng)為客戶解決專業(yè)問題！

3. 課程對象
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ESD專項負(fù)責(zé)人：ESD項目經(jīng)理、ESE協(xié)調(diào)員、ESD專員、ESD工程師、ESD技術(shù)員、E
SD技術(shù)專家。
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ESD相關(guān)人員：與ESD有關(guān)的生產(chǎn)經(jīng)理、電子工程技術(shù)人員、QA/QC質(zhì)量管理人員、
電子產(chǎn)品工藝開發(fā)、生產(chǎn)制造等領(lǐng)域的工程師及技術(shù)人員。


4. 學(xué)員課程收益
? 學(xué)習(xí)到國際最新ESD標(biāo)準(zhǔn)（ANSI/ESD S20.20-
2021）基于HBM100V以下的ESD控制技術(shù)，檢測方法。
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有效應(yīng)用HBM100V及CDM200V以下的靜電控制方法，提高產(chǎn)品質(zhì)量合格率、降低質(zhì)量
損失成本、提高企業(yè)競爭力，提高客戶滿意度；
? 獲得一套精美的《ESD》培訓(xùn)教材（包括電子檔的文件、教材、檢查表等資料）
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獲得本公司注冊的《ESD靜電控制提升工程師及內(nèi)部審核員培訓(xùn)》合格證書，是優(yōu)秀
人才的職業(yè)證明，增強您的職業(yè)競爭力，令您終身受益。

5. 授課方式
? 講解 + 案例分析 + 互動研討+ 圖片、視頻分析 + 問題答疑 + 實例操作 +
練習(xí) + 考試


6. 課時設(shè)置
? 課程2天時間（2*6=12小時），現(xiàn)場輔導(dǎo)1-5天時間。


7. 課程大綱
第一章：靜電產(chǎn)生影響要素分析
1. 影響靜電荷產(chǎn)生量的因素研究（材質(zhì)、濕度、接觸等）
1. EOS與ESD的同異分析
2. FMEA與ESD控制
3. 人體模型(HBM)—損傷原理及等效電路
4. 靜電放電測量要點


第二章 100V以下ESD靜電防護原理
1. 100V以下的HBM模型原理圖
2. 人體模型損傷的特點
3. 防靜電理論公式---
靜電量、電壓、放電電流、放電時間、電阻等特性的關(guān)系公式與HBM的聯(lián)系應(yīng)用
4. 降低人體模型100V電壓的思路



第三章 ESD防護材料的靜電壓降低
1. 人為因素的降低
2. 設(shè)備因素的降低
3. 環(huán)境因素的降低
4. 材料本身材質(zhì)的控制
5. 電阻率與泄漏半衰期的關(guān)系控制
6. 現(xiàn)場靜電源的管理

第四章 ESD靜電防護具體措施的應(yīng)用
1. 各損傷模型主要ESD防護措施
2. 人員防靜電措施
3. 設(shè)備防靜電措施
4. 物料防靜電措施
5. 環(huán)境防靜電措施
6. 防靜電方法措施
7. 防靜電測量措施
案例：各類防靜電措施展示

第五章 ESD S20.20標(biāo)準(zhǔn)與HBM 100V以下CDM200V以下超標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用簡介
1. ANSI/ESD S20.20標(biāo)準(zhǔn)簡介
2. 靜電放電控制三大基本原則在高敏感度下的應(yīng)用
3. 工作人員安全與靜電安全的協(xié)調(diào)
4. 標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用高敏感度產(chǎn)品的修正條款
5. 靜電放電控制程序之管理要求變化
6. 靜電放電控制程序計劃的變化
1. ESD培訓(xùn)要求的變化
2. 產(chǎn)品認(rèn)可計劃的變化
3. 符合性驗證計劃的變化
4. 接地 / 等電位相連系統(tǒng)的變化
5. 人員接地的變化
6. EPA (ESD Protected Area)靜電保護區(qū)的變化
7. 絕緣體的變化
8. 孤立導(dǎo)體的變化
9. 包裝的變化
10. 標(biāo)記的變化
11. 表格1，表格2，表格3中強制限定要求解析（重點 針對HBM
100V以下CDM200V以下的控制方案）
12. 其他需考慮的ESD技術(shù)因素

第六章 HBM 100V以下CDM200V以下HBM的測量過程
1. 產(chǎn)品認(rèn)可標(biāo)準(zhǔn)的變化
2. 符合性驗證標(biāo)準(zhǔn)的變化
3. ESD 物品定期檢測頻率與方式的變化
4. ESD 專用設(shè)施及檢測儀器的變化
5. 在HBM 100V以下CDM200V以下的測量項目與測量儀器

第七章 HBM 100V以下CDM200V以下產(chǎn)品控制的ESD體系策劃
1. 標(biāo)準(zhǔn)條文的變化
2. 文件修訂內(nèi)容清單
3. 內(nèi)審重點
……現(xiàn)場指導(dǎo)診斷，提出改善方案及建議（內(nèi)訓(xùn)）

8. 課堂練習(xí)及討論答疑
? 提問、練習(xí)
? 答疑

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